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藤田 峻也*; 阿部 豊*; 金子 暁子*; 湯淺 朋久*; 瀬川 智臣; 加藤 良幸; 川口 浩一; 石井 克典
Proceedings of 11th Korea-Japan Symposium on Nuclear Thermal Hydraulics and Safety (NTHAS-11) (Internet), 7 Pages, 2018/11
使用済燃料の再処理工程において、硝酸ウラニル・硝酸プルトニウム混合溶液をマイクロ波加熱脱硝法により、酸化ウラン・酸化プルトニウム混合酸化物粉末に転換しており、今後、量産規模の脱硝技術を開発する上で、マイクロ波加熱時の突沸及び噴きこぼれ防止のために運転条件の把握が求められる。本研究において、溶液の誘電率の増加に伴い熱伝導係数が低下することを明らかにした。また、噴き上げ現象においては気泡成長よりも無数の微小気泡の発生が支配的に影響を及ぼすと考えられる。
小林 昌平*; 阿部 豊*; 金子 暁子*; 藤原 広太*; 弗田 昭博*; 瀬川 智臣; 川口 浩一; 石井 克典
no journal, ,
核燃料サイクルにおいて、使用済み燃料から回収した硝酸ウラニル・硝酸プルトニウム混合溶液を酸化物に転換する再処理工程でマイクロ波加熱脱硝法が使用されている。本研究では、突沸現象のメカニズム解明と高誘電率溶液のマイクロ波加熱特性が突沸現象に及ぼす影響を明らかとすることを目的として、過熱状態の溶液中の気泡生成と気泡膨張に着目し、蒸留水及び再処理溶液を模擬した高誘電率溶液であるKCl水溶液を用いたマイクロ波加熱実験を実施した。マイクロ波加熱の時間が経過するにつれてKCl水溶液中の気泡の成長速度は、蒸留水に比べて低下することが明らかになった。KCl水溶液では周囲と比べて溶液の中心での加熱効率が低下し、気泡の成長速度が低下するため、高誘電率溶液は突沸が起きにくくなると考えられる。
垣内 拓大*; 津田 泰孝; 吉越 章隆
no journal, ,
HfO
は、Si半導体デバイスの高誘電率ゲート絶縁膜材料として注目を集めている。本研究では、約0.5、2.0MLの異なる量のHfが吸着したSi(111)上にOガス曝露(並進エネルギー:0.03eV)および超音速O分子線(並進エネルギー:0.39、2.2eV)によって酸化した試料のHf4f, Si2p, O1s光電子スペクトルで調べた。0.5MLの低被服率では、HfがSi(111)-7
7上のrest-atomやadatom上に吸着して特異な局所構造(hexagonal structure)を形成し、その周辺でのみ酸化が進行しHf
シリケートまでとなる。一方、2.0MLでは、酸化反応が表面金属Hf層全域で速やかに進行するため、Hf
シリケートまで生成すると考えられる。